Optische Spektroskopie an ultraviolett-emittierenden GaN / AlGaN-Heterostrukturen

Die binären Halbleitermaterialien Aluminiumnitrid (AlN), Galliumnitrid (GaN) und Indiumnitrid (InN) bilden die Basis des Materialsystems der Gruppe III-Nitride, das ein großes Anwendungspotential insbesondere im Bereich optoelektronischer Bauelemente besitzt. Durch Legierungsbildung der binären Ausgangskomponenten lassen sich direkte Bandlücken im ausgedehnten Bereich von etwa 0.8 bis 6.1 eV bei Raumtemperatur realisieren. Dies macht die Gruppe III-Nitride zu einem vielversprechenden Kandidaten, der, im Gegensatz zu den konventionellen III-V-Halbleitern wie beispielsweise Galliumarsenid (GaAs), auch den kurzwelligen sichtbaren und den ultravioletten (UV) Spektralbereich abdeckt. ...